Q3’13 תאריך ההשקה
קריאה רציפה 540 מגהבייט / שניות
כתיבה רציפה 490 מגהבייט / שניות
41000 IOPS (8GB Span) קריאה אקראית
41000 IOPS (8GB Span) כתיבה אקראית
חביון – קרא 80 מיקרוגרמים
חביון – כתוב 85 מיקרוגרמים
הספק – פעיל 140 מגה וואט
הספק – סרק 55 מגה וואט
רטט – הפעלה של 2.17 גרם (5 – 700 הרץ) מקסימום
רטט – ללא הפעלה 3.13 גרם (5-700 הרץ) מקסימום
הלם (הפעלה ולא הפעלה) 1500 ג’יגה (מקסימום) במהירות של 0.5 מילין
° C עד 70 ° C 0  טווח טמפרטורת הפעלה
משקל עד 78 גרם
זמן ממוצע בין כישלונות
(MTBF) 1,200,000 שעות
שיעור שגיאות סיביות לא ניתן לתיקון  מגזר אחד לכל 10 ^ 16 סיביות שנקראו
של אינטל NAND רכיבי זיכרון הבזק של
(MLC) טכנולוגיה רב-תאית
קיבולת 240 ג’יגה-בייט
גורם גורם 2.5 “7 מ”מ
GB/S 3.0 6 SATA  :ממשק
ליטוגרפיה 20 ננומטר
סיביות AES 256 הצפנת חומרה